Kioxia inicia el suministro de muestras de sus nuevas memorias flash de novena generación

La firma comienza a enviar unidades de almacenamiento de 1 TB diseñadas para mejorar el rendimiento de dispositivos con inteligencia artificial.
12 de agosto, 2026
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Para el desarrollo de sus componentes de almacenamiento, la fabricante se basa en dos metodologías estructurales que ya empezó a aplicar en su octava generación de memorias. Por un lado, emplea un sistema de fabricación que produce los circuitos lógicos y las matrices de celdas de memoria en obleas separadas para optimizar las condiciones de cada proceso antes de unirlas. Mientras que, por el otro, utiliza una técnica de diseño que acorta las conexiones internas y reduce la capacitancia eléctrica al eliminar los espacios de memoria que no se utilizan en la estructura.

A partir de esta base técnica, la compañía desarrolla simultáneamente dos familias de producto distintas para cubrir diferentes necesidades. Mientras que la línea de novena generación se orienta a proporcionar un alto rendimiento operativo manteniendo unos costes de inversión estructural moderados, la futura tecnología de décima generación se centrará en el apilamiento avanzado de capas de memoria para conseguir capacidades de almacenamiento masivas y un rendimiento superior.

En el marco de esta estrategia, Kioxia ha anunciado el inicio de la distribución de muestras de sus nuevos componentes de memoria de un terabit basados en la tecnología de celda de triple nivel y correspondientes a su novena generación tridimensional. Dichas unidades están orientadas a dispositivos de usuario final, como ordenadores y smartphones que posean capacidades de IA, que no requieren de una capacidad de almacenamiento masiva pero que sí exigen una alta velocidad de lectura y escritura de datos.

La arquitectura de estos nuevos componentes se fundamenta en un proceso de apilamiento vertical que alcanza las 230 capas, combinando los avances de la generación anterior con las mejoras en los circuitos lógicos. Gracias a esta estructura de alta densidad, las nuevas unidades logran alcanzar una velocidad de transferencia en su interfaz de 4,8 gigabytes por segundo. Representando un incremento del 33% en comparación con la octava generación. Este nivel de velocidad permite a los nuevos componentes igualar el rendimiento proyectado para los futuros dispositivos de décima generación.

Las unidades que se están distribuyendo actualmente a los socios comerciales tienen como única finalidad la comprobación técnica y funcional por parte de los ensambladores de hardware. Debido a esto, las especificaciones técnicas definitivas de los componentes podrían experimentar variaciones una vez que se inicie la fase de producción a escala industrial para su llegada al mercado.